12月5日晚间，三安光电发布公告，与福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府签署《投资合作协议》的议案。根据协议约定:公司拟在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或若干项目公司，投资总额 333 亿元(含公共配套设施投资，单位:人民币，下同)， 全部项目五年内实现投产，七年内全部项目实现达产，经营期限不少于 25 年。
根据公告，此次产业化项目包括:
1、高端氮化镓 LED 衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目;
2、高端砷化镓 LED 外延、芯片的研发与制造产业化项目;
3、大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目;
4、光通讯器件的研发与制造产业化项目;
5、射频、滤波器的研发与制造产业化项目;
6、功率型半导体(电力电子)的研发与制造产业化项目;
7、特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。
公告表示福建泉州市与南安市为推动泉州芯谷南安园区(以下简称“园区”)尽快形成规模化生产的III-V族化合物半导体、集成电路的研发及产业基地，提升III-V族化合物半导体、集成电路产业核心竞争力，欢迎并鼓励本公司在园区投资建设化合物半导体、集成电路及相关产业项目，并对项目在园区的发展给予积极支持。根据《国务院办公厅关于进一步激发民间有效投资活力促进经济持续健康发展的指导意见》(国办发79 号)关于“发挥财政性资金带动作用，通过投资补助、资本金注入、设立基金等方式，广泛吸纳各类社会资本，支持企业加大技术改造力度，加大对化合物半导体、集成电路等关键领域和薄弱环节重点项目的投入”等文件精神，三方本着优势互补、互利互惠原则，经友好协商，达成本协议。
此次投资将成立若干个项目公司，投资总额333亿元，(含公共配套设施投资)，达产后年销售收入约 270 亿元(按当前产品单价计算)。三安光电在泉州芯谷南安园区设立全资子公司投资集成电路、LED外延和芯片的研发与制造产业和项目，公司名称暂定为泉州三安半导体科技有限公司，注册资本20亿元。
三安光电主要从事III-V族化合物半导体材料的研发与应用，着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片核心主业，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。公告表示本次投资项目属于国家着力打造的新兴战略性产业，具有节能环保等特点; 符合公司产业发展方向和发展战略，目的是把主业做大做强做精，可充分发挥公司产业协同效应，丰富公司产品类别，大力提升公司产品附加值，延伸公司产业链，有利于进一步扩大公司产能，巩固公司行业地位，继续提升市场占有率，开拓新的应用领域，打造具有全球影响力的化合物半导体企业。
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